本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。

英文名称：	Germanium single crystal for solar cell
中标分类：	冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料
ICS分类：	电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期：	2011-01-10
实施日期：	2011-10-01
归口单位：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
主管部门：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：	云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、南京中锗科技股份有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、厦门乾照光电有限公司
起草人：	惠峰、普世坤、包文东、郑洪、张莉萍、孙小华、苏小平、王向武
页数：	12页
出版社：	中国标准出版社
书号：	155066·1-42615
出版日期：	2011-10-01

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准由云南临沧鑫圆锗业股份有限公司负责起草。 本标准由南京中锗科技股份有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、厦门乾照光电有限公司参加起草。 本标准主要起草人:惠峰、普世坤、包文东、郑洪、张莉萍、孙小华、苏小平、王向武。

引用标准

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T4326 非本征半导体单晶 霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法

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