本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

英文名称：	Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
中标分类：	冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：	冶金>>金属材料试验>>77.040.99金属材料的其他试验方法
发布部门：	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期：	2011-01-10
实施日期：	2011-10-01
归口单位：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
主管部门：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：	中国科学院半导体研究所
起草人：	陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立
页数：	16页
出版社：	中国标准出版社
出版日期：	2011-10-01

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准由中国科学院半导体研究所负责起草。 本标准主要起草人:陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立。