本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。 本标准适用于直拉法(CZ/MCZ)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。

英文名称：	Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells
中标分类：	冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：	电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期：	2011-01-10
实施日期：	2011-10-01
归口单位：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
主管部门：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：	万向硅峰电子股份有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、江西赛维LDK 太阳能有限公司、杭州海纳半导体有限公司
起草人：	楼春兰、郑辉、蒋建国、张群社、孙世龙、黄笑容、王飞尧、段育红、朱兴萍、方强、汪贵发、余俊军、袁文强、金虹
页数：	12页
出版社：	中国标准出版社
出版日期：	2011-10-01

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、江西赛维LDK 太阳能有限公司、杭州海纳半导体有限公司。 本标准主要起草人:楼春兰、郑辉、蒋建国、张群社、孙世龙、黄笑容、王飞尧、段育红、朱兴萍、方强、汪贵发、余俊军、袁文强、金虹。

引用标准

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T25076 太阳电池用硅单晶 GB/T26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

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