标准编号：GB/T 13539.4-2009，标准状态：现行。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了:

a) 熔断体的下列特性:

1) 额定值;

2) 正常工作时的温升;

3) 耗散功率;

4) 时间?电流特性;

5) 分断能力;

6) 截断电流特性和犐2狋特性;

7) 电弧电压极限值。

b) 验证熔断体特性的型式试验;

c) 熔断体标志;

d) 应提供的技术数据(见附录B)。

GB13539《低压熔断器》预计分为五个部分:

---第1部分:基本要求;

---第2部分:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至I;

---第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至F;

---第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求;

---第5部分:低压熔断器应用指南。

本部分为GB13539的第4部分,本部分等同采用IEC60269?4:2006《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求》(英文版)。

为便于使用,本部分作了下列编辑性修改:

---删除国际标准的前言和引言;

---删除原表、图及部分条款下的编辑性注释;

---原7.4中倒数第二行熔体不应熔化疑有误,改为熔断体不应熔断;

---原图102约定试验装置举例中右图上标③疑有误,改为②。

本部分与GB13539.1-2008一起使用。本部分的条款号与GB13539.1相对应。

本部分代替GB/T13539.4-2005《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求》

和GB/T13539.7-2005《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 第1至3篇:

标准化熔断体示例》。本部分主要由原GB/T13539.4及GB/T13539.7全部内容合并而成。

本部分与GB/T13539.4-2005和GB/T13539.7-2005相比主要变化如下:

---原GB/T13539.4-2005中附录A 规范性附录改为资料性附录,原附录B 资料性附录改为规范性附录;原GB/T13539.7-2005内容改为本部分附录C 内容;

---图C.2表中原F最大值改为F名义值;

---图C.7表中最后一栏H 最大值倒数第6行,原为0.4,现改为33.4。

本部分的附录B、附录C 为规范性附录,附录A 为资料性附录。

本部分由中国电器工业协会提出。

本部分由全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC340)归口。

本部分负责起草单位:上海电器科学研究所(集团)有限公司。

本部分参加起草单位:上海电器陶瓷厂有限公司、西安西整熔断器厂、浙江西熔电气有限公司、人民电器集团有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司。

本部分主要起草人:季慧玉、吴庆云。

本部分参加起草人:林海鸥、刘双库、李全安、郎建才、黄章武、郑爱国。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为:

---GB13539.4-1992、GB/T13539.4-2005;

---GB/T13539.7-2005。下列文件中的条款通过GB/T13539的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分,然而,鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本部分。

GB/T321-2005 优先数和优先数系(ISO3:1973,IDT)

GB13539.1-2008 低压熔断器 第1部分:基本要求(IEC60269?1:2006,IDT)

GB/T13539.2-2008 低压熔断器 第2部分:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至I(IEC60269?2:2006,IDT)

GB13539.3-2008 低压熔断器 第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至F(IEC60269-3:2006,IDT)

IEC60417 设备用图形符号

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