标准编号：GB/T 6617-2009，标准状态：现行。 本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。

本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。

本标准代替GB/T6617-1995《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》。

本标准与GB/T6617-1995相比,主要有如下变化:

---引用标准中删去硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法;

---方法原理中删去单探针和三探针的原理图并增加了扩展电阻原理公式(1)及其三个假定条件;

---增加了干扰因素;

---测量仪器和环境增加了自动测量仪器的范围和精度;

---对原测量程序进行全面修改;

---删去测量结果计算。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位:南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司。

本标准主要起草人:马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等。

本标准代替标准的历次版本发布情况为:

---GB6617-1986、GB/T6617-1995。

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。

GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法

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GB/T14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

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