标准编号：GB/T 6616-2009，标准状态：现行。 本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。

本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm~1mm 的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。

本标准修改采用了SEMIMF673?1105《用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的

方法》。

本标准与SEMIMF673?1105相比主要变化如下:

---本标准范围中只包括硅半导体材料,去掉了范围中对于其他半导体晶片的适用对象;

---本标准未采用SEMIMF673?1105中局部范围测量的方法Ⅱ;

---未采用SEMI标准中关键词章节以适合GB/T1.1的要求。

本标准代替GB/T6616-1995《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》。

本标准与GB/T6616-1995相比,主要有如下变化:

---调整了本标准测量直径或边长范围为大于25mm;

---增加了引用标准;

---修改了第3章中的公式

---修改了第4章中参考片电阻率的值与表1指定值之偏差为小于±25%;

---增加了干扰因素;

---修改了第6章中测试环境温度为23℃±1°C;

---规定了测试环境清洁度不低于10000级;仪器预热时间为20min;

---第7章中采用了SEMIMF673?1105标准中相关的精度和偏差。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准负责起草单位:万向硅峰电子股份有限公司。

本标准主要起草人:楼春兰、朱兴萍、方强、汪新平、戴文仙。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为:

---GB/T6616-1995。

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。

GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法

ASTM E691 引导多个实验室测定试验方法的惯例

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