标准编号：GB/T 5201-1994，标准状态：现行。 本标准规定了带电粒子半导体探测器电特性和核辐射性能的测试方法以及某些特殊环境的试验方法。本标准适用于探测带电粒子的部分耗尽金硅面垒型、锂漂移金硅面垒型和表面钝化离子注入平面硅型等半导体探测器。全耗尽金硅面垒型探测器的某些性能测试也应参照本标准执行。
| 英文名称： | Test procedures for semiconductor charged particle detectors |
| 替代情况： | GB 5201-1985;被GB/T 5201-2012代替 |
| 中标分类： | 能源、核技术>>核仪器与核探测器>>F80核仪器与核探测器综合 |
| ICS分类： | 计量学和测量、物理现象>>17.240辐射测量 |
| UDC分类： | 539.1.074;001.4 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1994-01-02 |
| 实施日期： | 1995-10-01 |
| 作废日期： | 2012-11-01 即将作废 距离作废日期还有99天 |
| 首发日期： | 1985-07-18 |
| 复审日期： | 2004-10-14 |
| 归口单位： | 全国核仪器仪表标准化技术委员会 |
| 主管部门： | 国防科学技术工业委员会 |
| 起草单位： | 北京核仪器厂 |
| 页数： | 平装16开， 页数：17， 字数：29千字 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
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