标准编号：GB/T 6589-2002，标准状态：现行。 本标准的目的是确定质量评定程序，以这种方式使按有关规范要求放行的电子器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。
| 英文名称： | Semiconductor Devices—Discrete deveice—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes) |
| 替代情况： | GB/T 6589-1986 |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二极管 |
| ICS分类： | 电子学>>半导体器件>>31.080.10二极管 |
| 采标情况： | IEC 60747-3-2:1986,IDT |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 |
| 发布日期： | 2002-12-04 |
| 实施日期： | 2003-05-01 |
| 首发日期： | 1986-07-24 |
| 复审日期： | 2004-10-14 |
| 提出单位： | 中华人民共和国信息产业部赵英 |
| 归口单位： | 全国半导体器件标准化技术委员会 |
| 主管部门： | 信息产业部（电子） |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所（CESI） |
| 起草人： | 赵英 |
| 页数： | 平装16开， 页数：14， 字数：23千字 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 书号： | 155066.1-19689 |
| 出版日期： | 2003-05-01 |
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