标准编号：SJ 20858-2002，标准状态：现行。 本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。
| 英文名称： | Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material |
| 中标分类： | 冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
| 发布日期： | 2002-12-12 |
| 实施日期： | 2003-05-01 |
| 起草单位： | 中国电子科技集团公司第四十六所 |
| 页数： | 9页 |
| 出版社： | 工业电子出版社 |
| 出版日期： | 2004-04-19 |
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