本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm 且外延层厚度大于2μm 的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5μm~2μm 之间的n型和p型外延层厚度。

英文名称：	Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
替代情况：	替代GB/T 14847-1993
中标分类：	冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：	电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期：	2011-01-10
实施日期：	2011-10-01
归口单位：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
主管部门：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：	宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人：	李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤
页数：	12页
出版社：	中国标准出版社
书号：	155066·1-42666
出版日期：	2011-10-01

前言

本标准代替GB/T14847—1993《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》。 本标准与GB/T14847—1993相比,主要技术内容变化如下: ———修改原标准“1主题内容与适用范围”中衬底和外延层室温电阻率明确为在23℃下电阻率,增加在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5μm~2μm 之间的N 型和P型外延层厚度; ———修改原标准“2引用标准”为“规范性引用文件”,增加有关的引用标准; ———增加“3术语和定义”部分; ———补充和完善“4测试方法原理内容”; ———增加“5干扰因素部分”; ———原标准5改为7,删除“5.1衬底和外延层导电类型及衬底电阻率应是已知的”内容,增加防止试样表面大面积晶格不完整以及要求测试前表面进行清洁处理的内容; ———原标准6改为8,对选取试样的外延厚度的要求改为对衬底电阻率和谱图波数位置的要求,并增加8.3.5采用GB/T1552中规定的方法在对应的反面位置测试衬底电阻率; ———原标准7改为9,增加极值波数和波长的转换公式。删除原7.2经验计算法内容; ———原标准8改为10,增加多个实验室更广范围的测试数据分析结果; ———原标准9改为11,试验报告中要求增加红外仪器的波数范围、掩模孔径、波数扫描速度、波长和极值级数等内容。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。 本标准主要起草人:李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤。 本部分所代替的历次版本标准发布情况为: ———GB/T14847—1993。

引用标准

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1552 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 GB/T6379.2 测量方法与结果的准确度(正确度与精密度) 第2部分:确定标准测量方法重复性与再现性的基本方法 GB/T14264 半导体材料术语

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